论文作者参考了许多使用相变材料的模拟性质进行神经形态计算的研究项目，其中包括一个提出完整的神经形态电路设计的项目，该项目使用PCM来模拟神经元和突触。

目前，英特尔、三星、美光科技和松下都已经开始PCM的布局，IBM研究院已经推出了可以作为非易失性缓存的PCM DIMM。几年前，IBM研究人员构建了一张PCI-Express PCM卡，可以连接到Power8服务器，并通过相干加速器处理器互连（CAPI）接口交换数据。值得注意的是，中国存储制造厂商江苏时代芯存此前也宣布将投资130亿元人民币致力于PCM的研发，已经于2017年完成厂房的封顶和设备的采购，该公司认为PCM是21世纪的存储芯片标准。

MARM

MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器，以磁性方式存储数据，但使用电子来读取和写入数据。磁性特征提供非易失性，电子读写提供速度。MRAM拥有静态随机存储器（SRAM）的高速读取、写入能力，以及DRAM的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。

不过，当前的MRAM存储元件也有其明显的产品短板。很多嵌入式系统都必须在高温下运行，而高温往往会损害MRAM的数据保存能力。另外，MRAM的保持力、耐久性和密度也需要得到进一步的提升。

在神经形态计算领域，MRAM也有着独特的优势。MRAM存储元件包括两个铁磁层，由自由层和固定层组成，中间夹着非磁性氧化层。MRAM通过克服将磁化从一个方向切换到另一个方向所需的阻力来工作。通过在自由层中加入域壁可以实现多种阻力状态。这些器件中开关态的随机性可以用来模拟突触的随机行为。

对于STT-MRAM的商业产品，Avalanche Technology、Spin Memory和Everspin Technologies都在布局。从商业角度来看，Everspin似乎是走得最远的。本月，该公司已经开始向客户提供1Gb的STT-MRAM设备。上面讲到，格罗方德等公司对ReRAM技术较为冷淡，不过对MRAM却很上心，包括格罗方德、英特尔和三星等都已经宣布将MRAM列入自己未来的产品计划中。

铁电场效应晶体管（FeFET）

FeFET存储器使用的铁电材料，可以在两种极化状态之间快速切换。与论文里面提到的其他技术一样，它可以在低功耗下提供高性能，同时还具有非易失性的附加优势，FeFET有望成为新一代闪存器件。

FeFET主要原理是在现有的逻辑晶体管上采用基于氧化铪基的High-K(高K)栅电介质+Metal Gate(金属栅)电极叠层技术，然后将栅极绝缘体改性成具有铁电性质。FeFET并不是一个新鲜的事物，早在2008年，日本产业技术综合研究所与东京大学就联合宣布研发出FeFET的NAND闪存储存单元，号称大幅改良了NAND闪存的性能缺点。不过，到现在十年过去了，FeFET距离成为主流闪存产品仍然还有很长的路要走。